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CY7C1568V18-375BZXC

CY7C1568V18-375BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1568V18-375BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1568V18-375BZXC
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 5.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1568V18-375BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1568V18-375BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1568V18-375BZXC, CY7C1568V18-375BZXC Datenblatt (Total Pages: 28, Größe: 719,04 KB)
PDFCY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Cover
CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 2 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 3 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 4 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 5 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 6 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 7 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 8 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 9 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 10 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C1568V18-375BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße72Mb (2M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz375MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Speichertyp

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

4ms

Zugriffszeit

3500ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFBGA

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

85ns

Zugriffszeit

85ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

32-EDIP

M29W320ET70ZS6F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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