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CY7C1515AV18-200BZXI

CY7C1515AV18-200BZXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1515AV18-200BZXI
PNEDA Teilenummer CY7C1515AV18-200BZXI
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.122
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1515AV18-200BZXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1515AV18-200BZXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1515AV18-200BZXI, CY7C1515AV18-200BZXI Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 774,23 KB)
PDFCY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Cover
CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 2 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 3 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 4 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 5 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 6 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 7 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 8 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 9 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 10 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 11

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CY7C1515AV18-200BZXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße72Mb (2M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

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Speichergröße

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8µs, 1.75ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (256 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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