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CY7C1512V18-250BZIT

CY7C1512V18-250BZIT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1512V18-250BZIT
PNEDA Teilenummer CY7C1512V18-250BZIT
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.442
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1512V18-250BZIT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1512V18-250BZIT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1512V18-250BZIT, CY7C1512V18-250BZIT Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 669,72 KB)
PDFCY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Cover
CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 2 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 3 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 4 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 5 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 6 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 7 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 8 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 9 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 10 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C1512V18-250BZIT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße72Mb (4M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

16Gb (512M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

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-

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-

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

32-PDIP

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

17ns

Zugriffszeit

17ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

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Paket / Fall

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