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CY7C1512KV18-200BZXC

CY7C1512KV18-200BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1512KV18-200BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1512KV18-200BZXC
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.968
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CY7C1512KV18-200BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1512KV18-200BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1512KV18-200BZXC, CY7C1512KV18-200BZXC Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 900,8 KB)
PDFCY7C1514KV18-200BZXC Datenblatt Cover
CY7C1514KV18-200BZXC Datenblatt Seite 2 CY7C1514KV18-200BZXC Datenblatt Seite 3 CY7C1514KV18-200BZXC Datenblatt Seite 4 CY7C1514KV18-200BZXC Datenblatt Seite 5 CY7C1514KV18-200BZXC Datenblatt Seite 6 CY7C1514KV18-200BZXC Datenblatt Seite 7 CY7C1514KV18-200BZXC Datenblatt Seite 8 CY7C1514KV18-200BZXC Datenblatt Seite 9 CY7C1514KV18-200BZXC Datenblatt Seite 10 CY7C1514KV18-200BZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C1512KV18-200BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße72Mb (4M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Tb (128G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

PL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFBGA

Lieferantengerätepaket

48-FBGA (8.15x6.15)

IDT71V3559SA75BG

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BGA

Lieferantengerätepaket

119-PBGA (14x22)

IS42S32800D-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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