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CY7C1512AV18-200BZXI

CY7C1512AV18-200BZXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1512AV18-200BZXI
PNEDA Teilenummer CY7C1512AV18-200BZXI
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $1.501,1794
50 ---------- $1.430,8116
100 ---------- $1.360,4438
200 ---------- $1.290,0760
400 ---------- $1.231,4362
500 ---------- $1.172,7964
Auf Lager 7.946
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CY7C1512AV18-200BZXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1512AV18-200BZXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1512AV18-200BZXI, CY7C1512AV18-200BZXI Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 1.090,21 KB)
PDFCY7C1514AV18-250BZI Datenblatt Cover
CY7C1514AV18-250BZI Datenblatt Seite 2 CY7C1514AV18-250BZI Datenblatt Seite 3 CY7C1514AV18-250BZI Datenblatt Seite 4 CY7C1514AV18-250BZI Datenblatt Seite 5 CY7C1514AV18-250BZI Datenblatt Seite 6 CY7C1514AV18-250BZI Datenblatt Seite 7 CY7C1514AV18-250BZI Datenblatt Seite 8 CY7C1514AV18-250BZI Datenblatt Seite 9 CY7C1514AV18-250BZI Datenblatt Seite 10 CY7C1514AV18-250BZI Datenblatt Seite 11

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CY7C1512AV18-200BZXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße72Mb (4M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

IS42S16100F-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

50-TSOP II

IS61QDB21M36-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QUAD

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-LFBGA (15x17)

MT48LC32M8A2P-6A:G TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

CY7C1412BV18-167BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

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