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CY7C1480BV33-200BZXI

CY7C1480BV33-200BZXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1480BV33-200BZXI
PNEDA Teilenummer CY7C1480BV33-200BZXI
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1480BV33-200BZXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1480BV33-200BZXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1480BV33-200BZXI, CY7C1480BV33-200BZXI Datenblatt (Total Pages: 34, Größe: 969,01 KB)
PDFCY7C1480BV33-167BZI Datenblatt Cover
CY7C1480BV33-167BZI Datenblatt Seite 2 CY7C1480BV33-167BZI Datenblatt Seite 3 CY7C1480BV33-167BZI Datenblatt Seite 4 CY7C1480BV33-167BZI Datenblatt Seite 5 CY7C1480BV33-167BZI Datenblatt Seite 6 CY7C1480BV33-167BZI Datenblatt Seite 7 CY7C1480BV33-167BZI Datenblatt Seite 8 CY7C1480BV33-167BZI Datenblatt Seite 9 CY7C1480BV33-167BZI Datenblatt Seite 10 CY7C1480BV33-167BZI Datenblatt Seite 11

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CY7C1480BV33-200BZXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße72Mb (2M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

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