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CY7C1474BV25-200BGI

CY7C1474BV25-200BGI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1474BV25-200BGI
PNEDA Teilenummer CY7C1474BV25-200BGI
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1474BV25-200BGI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1474BV25-200BGI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1474BV25-200BGI, CY7C1474BV25-200BGI Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 884,12 KB)
PDFCY7C1474BV25-200BGIT Datenblatt Cover
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CY7C1474BV25-200BGI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieNoBL™
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße72Mb (1M x 72)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3ns
Spannung - Versorgung2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall209-BGA
Lieferantengerätepaket209-FBGA (14x22)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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8-SOIC

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-N

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

IDT71V35761S166BQGI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

24-CDIP

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