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CY7C1474BV25-200BGC

CY7C1474BV25-200BGC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1474BV25-200BGC
PNEDA Teilenummer CY7C1474BV25-200BGC
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1474BV25-200BGC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1474BV25-200BGC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1474BV25-200BGC, CY7C1474BV25-200BGC Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 884,12 KB)
PDFCY7C1474BV25-200BGIT Datenblatt Cover
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CY7C1474BV25-200BGC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieNoBL™
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße72Mb (1M x 72)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3ns
Spannung - Versorgung2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall209-BGA
Lieferantengerätepaket209-FBGA (14x22)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Taktfrequenz

2133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-VFBGA

Lieferantengerätepaket

90-VFBGA (8x13)

RC28F128J3F75F

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

75ns

Zugriffszeit

75ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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IS42S32800B-7TL

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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