CY7C1472V33-200AXC
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1472V33-200AXC | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | CY7C1472V33-200AXC | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 96 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 19 - Mär 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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CY7C1472V33-200AXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1472V33-200AXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1472V33-200AXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | NoBL™ |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 72Mb (4M x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3ns |
| Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-LQFP |
| Lieferantengerätepaket | 100-TQFP (14x20) |
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Hersteller Adesto Technologies Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5µs, 2.5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-UDFN (2x3) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie GL-P Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 56-TSOP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM Speichergröße 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 168-TBGA Lieferantengerätepaket 168-BGA (13.5x13.5) |
