Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

CY7C1426AV18-250BZXC

CY7C1426AV18-250BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1426AV18-250BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1426AV18-250BZXC
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.724
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1426AV18-250BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1426AV18-250BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1426AV18-250BZXC, CY7C1426AV18-250BZXC Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 729,17 KB)
PDFCY7C1426AV18-250BZC Datenblatt Cover
CY7C1426AV18-250BZC Datenblatt Seite 2 CY7C1426AV18-250BZC Datenblatt Seite 3 CY7C1426AV18-250BZC Datenblatt Seite 4 CY7C1426AV18-250BZC Datenblatt Seite 5 CY7C1426AV18-250BZC Datenblatt Seite 6 CY7C1426AV18-250BZC Datenblatt Seite 7 CY7C1426AV18-250BZC Datenblatt Seite 8 CY7C1426AV18-250BZC Datenblatt Seite 9 CY7C1426AV18-250BZC Datenblatt Seite 10 CY7C1426AV18-250BZC Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • CY7C1426AV18-250BZXC Datasheet
  • where to find CY7C1426AV18-250BZXC
  • Cypress Semiconductor

  • Cypress Semiconductor CY7C1426AV18-250BZXC
  • CY7C1426AV18-250BZXC PDF Datasheet
  • CY7C1426AV18-250BZXC Stock

  • CY7C1426AV18-250BZXC Pinout
  • Datasheet CY7C1426AV18-250BZXC
  • CY7C1426AV18-250BZXC Supplier

  • Cypress Semiconductor Distributor
  • CY7C1426AV18-250BZXC Price
  • CY7C1426AV18-250BZXC Distributor

CY7C1426AV18-250BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße36Mb (4M x 9)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BR25H128FJ-2ACE2

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

4ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP-J

MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Speichergröße

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

130-VFBGA

Lieferantengerätepaket

130-VFBGA (8x9)

70T3599S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.4ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-LBGA

Lieferantengerätepaket

256-CABGA (17x17)

GD25WD20CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

DS1350YP-100+

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

34-PowerCap™ Module

Lieferantengerätepaket

34-PowerCap Module

Kürzlich verkauft

LTM4644IY

LTM4644IY

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 4X0.6-5.5V

IS62WV51216BLL-55TLI

IS62WV51216BLL-55TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

NIS5135MN1TXG

NIS5135MN1TXG

ON Semiconductor

IC ELECTRONIC FUSE 10DFN

B340A-E3/61T

B340A-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC

X9C104SI

X9C104SI

Renesas Electronics America Inc.

IC DGTL POT 100KOHM 100TAP 8SOIC

MBR0540-TP

MBR0540-TP

Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

MAX3645EEE+T

MAX3645EEE+T

Maxim Integrated

IC AMP LIMITING 16-QSOP

NFM41PC155B1H3L

NFM41PC155B1H3L

Murata

CAP FEEDTHRU 1.5UF 20% 50V 1806

CDBK0540

CDBK0540

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123F

BF862,215

BF862,215

NXP

JFET N-CH 20V 25MA SOT23

MAX3645EEE+

MAX3645EEE+

Maxim Integrated

IC AMP LIMITING 16-QSOP

EX-11EB

EX-11EB

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR THROUGH-BEAM 15CM NPN