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CY7C1425AV18-250BZXC

CY7C1425AV18-250BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1425AV18-250BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1425AV18-250BZXC
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 6.228
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1425AV18-250BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1425AV18-250BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1425AV18-250BZXC, CY7C1425AV18-250BZXC Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 481,08 KB)
PDFCY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Cover
CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 2 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 3 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 4 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 5 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 6 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 7 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 8 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 9 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 10 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 11

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CY7C1425AV18-250BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße36Mb (4M x 9)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOJ

CY7C1413AV18-250BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

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