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CY7C1415BV18-200BZXC

CY7C1415BV18-200BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1415BV18-200BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1415BV18-200BZXC
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 7.308
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1415BV18-200BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1415BV18-200BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1415BV18-200BZXC, CY7C1415BV18-200BZXC Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 726,39 KB)
PDFCY7C1415BV18-250BZI Datenblatt Cover
CY7C1415BV18-250BZI Datenblatt Seite 2 CY7C1415BV18-250BZI Datenblatt Seite 3 CY7C1415BV18-250BZI Datenblatt Seite 4 CY7C1415BV18-250BZI Datenblatt Seite 5 CY7C1415BV18-250BZI Datenblatt Seite 6 CY7C1415BV18-250BZI Datenblatt Seite 7 CY7C1415BV18-250BZI Datenblatt Seite 8 CY7C1415BV18-250BZI Datenblatt Seite 9 CY7C1415BV18-250BZI Datenblatt Seite 10 CY7C1415BV18-250BZI Datenblatt Seite 11

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CY7C1415BV18-200BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße36Mb (1M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1ms

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

S34ML02G200TFI000

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

ML-2

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

S72XS256RE0AHBJ23

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

XS-R

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH, DRAM

Speichergröße

256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

133-VFBGA

Lieferantengerätepaket

133-FBGA (8x8)

Hersteller

Macronix

Serie

MX25xxx05/06

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

86MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

MT38M5041A3034EZZI.XR6

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH, PSRAM

Speichergröße

512Mb (32M x 16), 128M (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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56-VFBGA

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