CY7C1412KV18-333BZXI
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1412KV18-333BZXI | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | CY7C1412KV18-333BZXI | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 4.493 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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CY7C1412KV18-333BZXI Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1412KV18-333BZXI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1412KV18-333BZXI Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Speichergröße | 36Mb (2M x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 333MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-FBGA (13x15) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 66-TSOP |
