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CY7C1412KV18-250BZXI

CY7C1412KV18-250BZXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1412KV18-250BZXI
PNEDA Teilenummer CY7C1412KV18-250BZXI
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 7.272
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1412KV18-250BZXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1412KV18-250BZXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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CY7C1412KV18-250BZXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße36Mb (2M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

IS45S16160D-7BLA1

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TFBGA

Lieferantengerätepaket

54-TFBGA (8x13)

S29GL032N90FFI022

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-N

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

71V67703S75BQG8

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

M24128-BWMN6

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

450ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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