CY7C1412KV18-250BZI
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| Teilenummer | CY7C1412KV18-250BZI |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1412KV18-250BZI |
| Beschreibung | IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.246 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CY7C1412KV18-250BZI Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1412KV18-250BZI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1412KV18-250BZI Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Speichergröße | 36Mb (2M x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 250MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-FBGA (13x15) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 75MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ms, 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.1V Betriebstemperatur -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 200-WFBGA Lieferantengerätepaket 200-WFBGA (10x14.5) |
