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CY7C1412AV18-200BZI

CY7C1412AV18-200BZI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1412AV18-200BZI
PNEDA Teilenummer CY7C1412AV18-200BZI
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $541,1429
50 ---------- $515,7768
100 ---------- $490,4108
200 ---------- $465,0447
400 ---------- $443,9063
500 ---------- $422,7679
Auf Lager 1.526
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1412AV18-200BZI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1412AV18-200BZI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1412AV18-200BZI, CY7C1412AV18-200BZI Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 481,08 KB)
PDFCY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Cover
CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 2 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 3 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 4 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 5 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 6 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 7 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 8 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 9 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 10 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 11

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CY7C1412AV18-200BZI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße36Mb (2M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

183MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.3ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.6V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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