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CY7C141-25JXCT

CY7C141-25JXCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C141-25JXCT
PNEDA Teilenummer CY7C141-25JXCT
Beschreibung IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C141-25JXCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C141-25JXCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C141-25JXCT, CY7C141-25JXCT Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 516,74 KB)
PDFCY7C141-25JXCT Datenblatt Cover
CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 2 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 3 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 4 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 5 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 6 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 7 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 8 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 9 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 10 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 11

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CY7C141-25JXCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße8Kb (1K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall52-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket52-PLCC (19.13x19.13)

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Micron Technology Inc.

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

66MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

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