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CY7C141-25JXC

CY7C141-25JXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C141-25JXC
PNEDA Teilenummer CY7C141-25JXC
Beschreibung IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C141-25JXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C141-25JXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C141-25JXC, CY7C141-25JXC Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 516,74 KB)
PDFCY7C141-25JXCT Datenblatt Cover
CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 2 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 3 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 4 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 5 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 6 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 7 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 8 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 9 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 10 CY7C141-25JXCT Datenblatt Seite 11

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CY7C141-25JXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße8Kb (1K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall52-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket52-PLCC (19.13x19.13)

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

57.5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

36Mb (4M x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (256M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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