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CY7C1399BN-15VXC

CY7C1399BN-15VXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1399BN-15VXC
PNEDA Teilenummer CY7C1399BN-15VXC
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 7.092
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 28 - Mai 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CY7C1399BN-15VXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1399BN-15VXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1399BN-15VXC, CY7C1399BN-15VXC Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 309,69 KB)
PDFCY7C1399BNL-15ZXCT Datenblatt Cover
CY7C1399BNL-15ZXCT Datenblatt Seite 2 CY7C1399BNL-15ZXCT Datenblatt Seite 3 CY7C1399BNL-15ZXCT Datenblatt Seite 4 CY7C1399BNL-15ZXCT Datenblatt Seite 5 CY7C1399BNL-15ZXCT Datenblatt Seite 6 CY7C1399BNL-15ZXCT Datenblatt Seite 7 CY7C1399BNL-15ZXCT Datenblatt Seite 8

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CY7C1399BN-15VXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit15ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOJ

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

50MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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M28W160ECT70ZB6U TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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