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CY7C1399B-15ZXIT

CY7C1399B-15ZXIT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1399B-15ZXIT
PNEDA Teilenummer CY7C1399B-15ZXIT
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.442
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1399B-15ZXIT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1399B-15ZXIT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1399B-15ZXIT, CY7C1399B-15ZXIT Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 189,72 KB)
PDFCY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Cover
CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 2 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 3 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 4 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 5 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 6 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 7 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 8 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 9 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 10

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CY7C1399B-15ZXIT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit15ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Lieferantengerätepaket28-TSOP I

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

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Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

44-PLCC (16.6x16.6)

IS46TR16128A-125KBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-TWBGA (9x13)

M27C801-100B1

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

32-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

32-PDIP

AT25XE512C-MAHN-T

Adesto Technologies

Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-UDFN (2x3)

S34ML08G201TFV000

SkyHigh Memory Limited

Hersteller

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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