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CY7C1392CV18-250BZC

CY7C1392CV18-250BZC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1392CV18-250BZC
PNEDA Teilenummer CY7C1392CV18-250BZC
Beschreibung IC SRAM 16M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $431,2032
50 ---------- $410,9905
100 ---------- $390,7779
200 ---------- $370,5653
400 ---------- $353,7214
500 ---------- $336,8775
Auf Lager 20
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CY7C1392CV18-250BZC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1392CV18-250BZC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1392CV18-250BZC, CY7C1392CV18-250BZC Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 689,86 KB)
PDFCY7C1392CV18-250BZC Datenblatt Cover
CY7C1392CV18-250BZC Datenblatt Seite 2 CY7C1392CV18-250BZC Datenblatt Seite 3 CY7C1392CV18-250BZC Datenblatt Seite 4 CY7C1392CV18-250BZC Datenblatt Seite 5 CY7C1392CV18-250BZC Datenblatt Seite 6 CY7C1392CV18-250BZC Datenblatt Seite 7 CY7C1392CV18-250BZC Datenblatt Seite 8 CY7C1392CV18-250BZC Datenblatt Seite 9 CY7C1392CV18-250BZC Datenblatt Seite 10 CY7C1392CV18-250BZC Datenblatt Seite 11

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CY7C1392CV18-250BZC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße16Mb (2M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

63-VFBGA

Lieferantengerätepaket

63-VFBGA (9x11)

AS6C4016A-45ZIN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP2

S29GL512S10GHI020

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-VFBGA

Lieferantengerätepaket

56-FBGA (9x7)

MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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