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CY7C139-25JXC

CY7C139-25JXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C139-25JXC
PNEDA Teilenummer CY7C139-25JXC
Beschreibung IC SRAM 36K PARALLEL 68PLCC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 3.672
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C139-25JXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C139-25JXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C139-25JXC, CY7C139-25JXC Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 547,05 KB)
PDFCY7C139-25JXC Datenblatt Cover
CY7C139-25JXC Datenblatt Seite 2 CY7C139-25JXC Datenblatt Seite 3 CY7C139-25JXC Datenblatt Seite 4 CY7C139-25JXC Datenblatt Seite 5 CY7C139-25JXC Datenblatt Seite 6 CY7C139-25JXC Datenblatt Seite 7 CY7C139-25JXC Datenblatt Seite 8 CY7C139-25JXC Datenblatt Seite 9 CY7C139-25JXC Datenblatt Seite 10 CY7C139-25JXC Datenblatt Seite 11

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CY7C139-25JXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße36Kb (4K x 9)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall68-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket68-PLCC (24.23x24.23)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

R1LV5256ESA-5SR#B0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

28-TSOP

MT29F512G08CMECBH7-12:C

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

512Gb (64G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

83MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

152-TBGA

Lieferantengerätepaket

152-TBGA (14x18)

AS4C4M16SA-6TIN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

S29JL032J60TFI313

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

JL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

60ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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