CY7C1371S-133BGC
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1371S-133BGC |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1371S-133BGC |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.020 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 17 - Feb 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1371S-133BGC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1371S-133BGC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1371S-133BGC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 18Mb (512K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 133MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 6.5ns |
| Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 119-BGA |
| Lieferantengerätepaket | 119-PBGA (14x22) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat PSRAM Technologie PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFBGA Lieferantengerätepaket 48-TFBGA (6x8) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 350ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-FBGA (8x10) |
