CY7C1370D-200AXCT
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1370D-200AXCT |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1370D-200AXCT |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.022 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1370D-200AXCT Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1370D-200AXCT |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1370D-200AXCT Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | NoBL™ |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 18Mb (512K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3ns |
| Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-LQFP |
| Lieferantengerätepaket | 100-TQFP (14x20) |
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Hersteller Macronix Serie MX29LV Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-SOIC (0.496", 12.60mm Width) Lieferantengerätepaket 44-SOP |
Hersteller Winbond Electronics Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie StrataFlash™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 95ns Zugriffszeit 95ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 64-TBGA Lieferantengerätepaket 64-EasyBGA (10x13) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.2V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 253-VFBGA Lieferantengerätepaket 253-VFBGA (11x11.5) |
