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CY7C136-25JXC

CY7C136-25JXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C136-25JXC
PNEDA Teilenummer CY7C136-25JXC
Beschreibung IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 11.304
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C136-25JXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C136-25JXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C136-25JXC, CY7C136-25JXC Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 358,32 KB)
PDFCY7C136A-55NXIT Datenblatt Cover
CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 2 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 3 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 4 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 5 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 6 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 7 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 8 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 9 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 10 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 11

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CY7C136-25JXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall52-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket52-PLCC (19.13x19.13)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1067MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

178-VFBGA

Lieferantengerätepaket

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MT29F4G08ABAEAWP:E TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOJ

AT49LD3200-13TI

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

32Mb (1M x 32, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

170ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

86-TSOP II

MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (4G x 1)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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