CY7C1355C-100AXCT
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| Teilenummer | CY7C1355C-100AXCT |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1355C-100AXCT |
| Beschreibung | IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.520 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 28 - Mai 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1355C-100AXCT Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1355C-100AXCT |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
CY7C1355C-100AXCT, CY7C1355C-100AXCT Datenblatt
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CY7C1355C-100AXCT Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | NoBL™ |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 9Mb (256K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 100MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 7.5ns |
| Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-LQFP |
| Lieferantengerätepaket | 100-TQFP (14x20) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 1Kb (128 x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 3500ns Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-TDFN (2x3) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs Zugriffszeit 90ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 32-PLCC (13.97x11.43) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOP |
