CY7C1355C-100AXC
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| Teilenummer | CY7C1355C-100AXC |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1355C-100AXC |
| Beschreibung | IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 30 - Mai 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1355C-100AXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1355C-100AXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
CY7C1355C-100AXC, CY7C1355C-100AXC Datenblatt
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CY7C1355C-100AXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | NoBL™ |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 9Mb (256K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 100MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 7.5ns |
| Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-LQFP |
| Lieferantengerätepaket | 100-TQFP (14x20) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle SPI - Dual I/O Taktfrequenz 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs, 4ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-USON (1.5x1.5) |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 34-LPM Lieferantengerätepaket 34-LPM |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 2MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 6ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
