CY7C1329H-166AXC
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| Teilenummer | CY7C1329H-166AXC |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1329H-166AXC |
| Beschreibung | IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.082 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1329H-166AXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1329H-166AXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
CY7C1329H-166AXC, CY7C1329H-166AXC Datenblatt
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CY7C1329H-166AXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 2Mb (64K x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3.5ns |
| Spannung - Versorgung | 3.15V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-LQFP |
| Lieferantengerätepaket | 100-TQFP (14x20) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit 250ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 32-PLCC (13.97x11.43) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 28-TSOP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH, RAM Technologie FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Speichergröße 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 130-VFBGA Lieferantengerätepaket 130-VFBGA (8x9) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 512Kb (64K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) Lieferantengerätepaket 32-VSOP |
