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CY7C1318CV18-250BZXC

CY7C1318CV18-250BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1318CV18-250BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1318CV18-250BZXC
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $326,5306
50 ---------- $311,2244
100 ---------- $295,9183
200 ---------- $280,6122
400 ---------- $267,8571
500 ---------- $255,1020
Auf Lager 61
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1318CV18-250BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1318CV18-250BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1318CV18-250BZXC, CY7C1318CV18-250BZXC Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 1.228,93 KB)
PDFCY7C1318CV18-250BZI Datenblatt Cover
CY7C1318CV18-250BZI Datenblatt Seite 2 CY7C1318CV18-250BZI Datenblatt Seite 3 CY7C1318CV18-250BZI Datenblatt Seite 4 CY7C1318CV18-250BZI Datenblatt Seite 5 CY7C1318CV18-250BZI Datenblatt Seite 6 CY7C1318CV18-250BZI Datenblatt Seite 7 CY7C1318CV18-250BZI Datenblatt Seite 8 CY7C1318CV18-250BZI Datenblatt Seite 9 CY7C1318CV18-250BZI Datenblatt Seite 10 CY7C1318CV18-250BZI Datenblatt Seite 11

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CY7C1318CV18-250BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße18Mb (1M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

85MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12µs, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

IS45S16100E-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-TFBGA (6.4x10.1)

AT49BV040-12TC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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32-TSOP

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