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CY7C1314CV18-200BZI

CY7C1314CV18-200BZI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1314CV18-200BZI
PNEDA Teilenummer CY7C1314CV18-200BZI
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $455,3057
50 ---------- $433,9633
100 ---------- $412,6208
200 ---------- $391,2784
400 ---------- $373,4930
500 ---------- $355,7076
Auf Lager 64
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1314CV18-200BZI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1314CV18-200BZI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1314CV18-200BZI, CY7C1314CV18-200BZI Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 689,51 KB)
PDFCY7C1312CV18-250BZI Datenblatt Cover
CY7C1312CV18-250BZI Datenblatt Seite 2 CY7C1312CV18-250BZI Datenblatt Seite 3 CY7C1312CV18-250BZI Datenblatt Seite 4 CY7C1312CV18-250BZI Datenblatt Seite 5 CY7C1312CV18-250BZI Datenblatt Seite 6 CY7C1312CV18-250BZI Datenblatt Seite 7 CY7C1312CV18-250BZI Datenblatt Seite 8 CY7C1312CV18-250BZI Datenblatt Seite 9 CY7C1312CV18-250BZI Datenblatt Seite 10 CY7C1312CV18-250BZI Datenblatt Seite 11

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CY7C1314CV18-200BZI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße18Mb (512K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-TFBGA (8x13)

7130LA55JG8/2930

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

MT41K1G4DA-107:P TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

4Gb (1G x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (8x10.5)

SST39VF1682-70-4C-B3KE

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-TFBGA

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