CY7C1313BV18-167BZCT
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1313BV18-167BZCT |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1313BV18-167BZCT |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.294 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 10 - Nov 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1313BV18-167BZCT Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1313BV18-167BZCT |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
CY7C1313BV18-167BZCT, CY7C1313BV18-167BZCT Datenblatt
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CY7C1313BV18-167BZCT Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Speichergröße | 18Mb (1M x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 167MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-FBGA (13x15) |
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Hersteller Adesto Technologies Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 64Mb (1056 Bytes x 8192 pages) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 66MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 6ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Lieferantengerätepaket 8-CASON (6x8) |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns Zugriffszeit 12ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-SOJ |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.1ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
