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CY7C131-55NXCT

CY7C131-55NXCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C131-55NXCT
PNEDA Teilenummer CY7C131-55NXCT
Beschreibung IC SRAM 8K PARALLEL 52PQFP
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C131-55NXCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C131-55NXCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C131-55NXCT, CY7C131-55NXCT Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 474,92 KB)
PDFCY7C131A-15JXI Datenblatt Cover
CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 2 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 3 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 4 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 5 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 6 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 7 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 8 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 9 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 10 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 11

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CY7C131-55NXCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße8Kb (1K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall52-QFP
Lieferantengerätepaket52-PQFP (10x10)

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

24Gb (384M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

2133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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