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CY7C1305BV25-167BZC

CY7C1305BV25-167BZC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1305BV25-167BZC
PNEDA Teilenummer CY7C1305BV25-167BZC
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $381,5447
50 ---------- $363,6598
100 ---------- $345,7749
200 ---------- $327,8900
400 ---------- $312,9859
500 ---------- $298,0818
Auf Lager 40
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1305BV25-167BZC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1305BV25-167BZC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1305BV25-167BZC, CY7C1305BV25-167BZC Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 1.126,47 KB)
PDFCY7C1305BV25-167BZCT Datenblatt Cover
CY7C1305BV25-167BZCT Datenblatt Seite 2 CY7C1305BV25-167BZCT Datenblatt Seite 3 CY7C1305BV25-167BZCT Datenblatt Seite 4 CY7C1305BV25-167BZCT Datenblatt Seite 5 CY7C1305BV25-167BZCT Datenblatt Seite 6 CY7C1305BV25-167BZCT Datenblatt Seite 7 CY7C1305BV25-167BZCT Datenblatt Seite 8 CY7C1305BV25-167BZCT Datenblatt Seite 9 CY7C1305BV25-167BZCT Datenblatt Seite 10 CY7C1305BV25-167BZCT Datenblatt Seite 11

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CY7C1305BV25-167BZC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR
Speichergröße18Mb (1M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz167MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

S34MS04G100BHI003

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MS-1

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

63-VFBGA

Lieferantengerätepaket

63-BGA (11x9)

MT29F64G08AECABJ1-10Z:A TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

64Gb (8G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

132-VBGA

Lieferantengerätepaket

132-VBGA (12x18)

CY7C0852V-133BBC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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