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CY7C1302DV25-167BZXC

CY7C1302DV25-167BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1302DV25-167BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1302DV25-167BZXC
Beschreibung IC SRAM 9M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 6.894
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1302DV25-167BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1302DV25-167BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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CY7C1302DV25-167BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR
Speichergröße9Mb (512K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz167MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-TFBGA (6x8)

93AA46AT-I/ST

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

11LC161-I/MS

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Single Wire

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

CY7C2564XV18-366BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

366MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

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