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CY7C1292DV18-167BZC

CY7C1292DV18-167BZC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1292DV18-167BZC
PNEDA Teilenummer CY7C1292DV18-167BZC
Beschreibung IC SRAM 9M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1292DV18-167BZC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1292DV18-167BZC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1292DV18-167BZC, CY7C1292DV18-167BZC Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 987,13 KB)
PDFCY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Cover
CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 2 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 3 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 4 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 5 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 6 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 7 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 8 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 9 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 10 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 11

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CY7C1292DV18-167BZC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße9Mb (512K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz167MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

128Gb (16G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.4ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.75ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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