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CY7C1270XV18-600BZXC

CY7C1270XV18-600BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1270XV18-600BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1270XV18-600BZXC
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.892
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 28 - Feb 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1270XV18-600BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1270XV18-600BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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CY7C1270XV18-600BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße36Mb (1M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz600MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 2.4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-VSOP

MT28HL32GQBB6EBL-0GCT

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

M27C256B-10F1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - UV

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window

Lieferantengerätepaket

28-CDIP Frit Seal with Window

M93C56-RDW3TP/K

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Speichergröße

2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

130-VFBGA

Lieferantengerätepaket

130-VFBGA (8x9)

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