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CY7C1250V18-333BZC

CY7C1250V18-333BZC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1250V18-333BZC
PNEDA Teilenummer CY7C1250V18-333BZC
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $742,4234
50 ---------- $707,6223
100 ---------- $672,8212
200 ---------- $638,0201
400 ---------- $609,0192
500 ---------- $580,0183
Auf Lager 151
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1250V18-333BZC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1250V18-333BZC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1250V18-333BZC, CY7C1250V18-333BZC Datenblatt (Total Pages: 27, Größe: 642,75 KB)
PDFCY7C1250V18-333BZXC Datenblatt Cover
CY7C1250V18-333BZXC Datenblatt Seite 2 CY7C1250V18-333BZXC Datenblatt Seite 3 CY7C1250V18-333BZXC Datenblatt Seite 4 CY7C1250V18-333BZXC Datenblatt Seite 5 CY7C1250V18-333BZXC Datenblatt Seite 6 CY7C1250V18-333BZXC Datenblatt Seite 7 CY7C1250V18-333BZXC Datenblatt Seite 8 CY7C1250V18-333BZXC Datenblatt Seite 9 CY7C1250V18-333BZXC Datenblatt Seite 10 CY7C1250V18-333BZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C1250V18-333BZC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße36Mb (1M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (2x3)

S99ML04G10043

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

2Tb (256G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

152-LBGA

Lieferantengerätepaket

152-LBGA (14x18)

SST25VF020A-25-4E-ZAE

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST25

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

25MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-20°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFBGA, CSPBGA

Lieferantengerätepaket

8-CSP

CY7C1069AV33-10ZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

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