CY7C11651KV18-400BZXC
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C11651KV18-400BZXC |
| PNEDA Teilenummer | CY7C11651KV18-400BZXC |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.256 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C11651KV18-400BZXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C11651KV18-400BZXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
CY7C11651KV18-400BZXC, CY7C11651KV18-400BZXC Datenblatt
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CY7C11651KV18-400BZXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
| Speichergröße | 18Mb (512K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 400MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-FBGA (13x15) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket 216-FBGA (15x15) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 14ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-VFBGA Lieferantengerätepaket 54-VFBGA (8x14) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 128Kb (16K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 17ns Zugriffszeit 17ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 68-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 68-PLCC (24.21x24.21) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 2.4V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFBGA Lieferantengerätepaket 48-TFBGA (6x8) |
