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CY7C11501KV18-400BZXI

CY7C11501KV18-400BZXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C11501KV18-400BZXI
PNEDA Teilenummer CY7C11501KV18-400BZXI
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $612,5533
50 ---------- $583,8399
100 ---------- $555,1265
200 ---------- $526,4130
400 ---------- $502,4852
500 ---------- $478,5573
Auf Lager 220
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C11501KV18-400BZXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C11501KV18-400BZXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C11501KV18-400BZXI, CY7C11501KV18-400BZXI Datenblatt (Total Pages: 28, Größe: 905,61 KB)
PDFCY7C11501KV18-400BZXI Datenblatt Cover
CY7C11501KV18-400BZXI Datenblatt Seite 2 CY7C11501KV18-400BZXI Datenblatt Seite 3 CY7C11501KV18-400BZXI Datenblatt Seite 4 CY7C11501KV18-400BZXI Datenblatt Seite 5 CY7C11501KV18-400BZXI Datenblatt Seite 6 CY7C11501KV18-400BZXI Datenblatt Seite 7 CY7C11501KV18-400BZXI Datenblatt Seite 8 CY7C11501KV18-400BZXI Datenblatt Seite 9 CY7C11501KV18-400BZXI Datenblatt Seite 10 CY7C11501KV18-400BZXI Datenblatt Seite 11

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CY7C11501KV18-400BZXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II+
Speichergröße18Mb (512K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Mb (64M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

66-TSOP

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

32-PLCC (13.97x11.43)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FS-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-WSON (6x8)

CY14B104L-ZS25XIT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

CY7C1021CV33-12BAXIT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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