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CY7C109BN-15ZXCT

CY7C109BN-15ZXCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C109BN-15ZXCT
PNEDA Teilenummer CY7C109BN-15ZXCT
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C109BN-15ZXCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C109BN-15ZXCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C109BN-15ZXCT, CY7C109BN-15ZXCT Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 455,41 KB)
PDFCY7C109BNL-15VC Datenblatt Cover
CY7C109BNL-15VC Datenblatt Seite 2 CY7C109BNL-15VC Datenblatt Seite 3 CY7C109BNL-15VC Datenblatt Seite 4 CY7C109BNL-15VC Datenblatt Seite 5 CY7C109BNL-15VC Datenblatt Seite 6 CY7C109BNL-15VC Datenblatt Seite 7 CY7C109BNL-15VC Datenblatt Seite 8 CY7C109BNL-15VC Datenblatt Seite 9

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CY7C109BN-15ZXCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit15ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket32-TSOP I

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Hersteller

AKM Semiconductor Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

5MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

5MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.6V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT53D8DATZ-DC

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

S29GL01GS10FHSS43

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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