CY7C1041G30-10BVJXIT
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| Teilenummer | CY7C1041G30-10BVJXIT |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1041G30-10BVJXIT |
| Beschreibung | IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.248 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1041G30-10BVJXIT Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1041G30-10BVJXIT |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1041G30-10BVJXIT Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffszeit | 10ns |
| Spannung - Versorgung | 2.2V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 48-VFBGA (6x8) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 512Kb (64K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 1MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 550ns Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 134-TFBGA Lieferantengerätepaket 134-TFBGA (10x11.5) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
