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CY7C1041CV33-15ZC

CY7C1041CV33-15ZC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1041CV33-15ZC
PNEDA Teilenummer CY7C1041CV33-15ZC
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 796
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1041CV33-15ZC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1041CV33-15ZC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1041CV33-15ZC, CY7C1041CV33-15ZC Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 584,09 KB)
PDFCY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Cover
CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 2 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 3 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 4 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 5 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 6 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 7 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 8 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 9 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 10 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C1041CV33-15ZC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit15ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

30ns

Zugriffszeit

30ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

SARAM

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

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