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CY7C1041CV33-12VXC

CY7C1041CV33-12VXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1041CV33-12VXC
PNEDA Teilenummer CY7C1041CV33-12VXC
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 2.646
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1041CV33-12VXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1041CV33-12VXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1041CV33-12VXC, CY7C1041CV33-12VXC Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 584,09 KB)
PDFCY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Cover
CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 2 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 3 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 4 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 5 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 6 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 7 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 8 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 9 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 10 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C1041CV33-12VXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-SOJ

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

800µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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