CY7C1024DV33-10BGXI
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| Teilenummer | CY7C1024DV33-10BGXI |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1024DV33-10BGXI |
| Beschreibung | IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.010 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1024DV33-10BGXI Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1024DV33-10BGXI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1024DV33-10BGXI Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 3Mb (128K x 24) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffszeit | 10ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 119-BGA |
| Lieferantengerätepaket | 119-PBGA (14x22) |
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Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 66-TSOP II |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 2Kb (256 x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 900ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie StrataFlash™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 40MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 95ns Zugriffszeit 95ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 2V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 56-TSOP |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
