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CY7C1021BNV33L-12ZXCT

CY7C1021BNV33L-12ZXCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1021BNV33L-12ZXCT
PNEDA Teilenummer CY7C1021BNV33L-12ZXCT
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1021BNV33L-12ZXCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1021BNV33L-12ZXCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1021BNV33L-12ZXCT, CY7C1021BNV33L-12ZXCT Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 534,14 KB)
PDFCY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Cover
CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 2 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 3 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 4 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 5 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 6 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 7 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 8 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 9 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 10

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CY7C1021BNV33L-12ZXCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA (8x20)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Tb (128G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

93C76BT-E/MS

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (512 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

S29JL064J60TFA000

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

JL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

60ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

IDT71V65903S80PF

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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