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CY7C1021BN-12VXIT

CY7C1021BN-12VXIT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1021BN-12VXIT
PNEDA Teilenummer CY7C1021BN-12VXIT
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 2.034
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1021BN-12VXIT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1021BN-12VXIT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1021BN-12VXIT, CY7C1021BN-12VXIT Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 474,42 KB)
PDFCY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Cover
CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 2 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 3 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 4 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 5 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 6 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 7 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 8 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 9 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 10

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CY7C1021BN-12VXIT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-SOJ

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

7024L20FB

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

84-FLATPAK

71V65803S150BGI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

150MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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119-PBGA (14x22)

EDFP112A3PB-GDTJ-F-R

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

24Gb (192M x 128)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

24LCS52-I/P

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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