CY7C1021BN-12VXC
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| Teilenummer | CY7C1021BN-12VXC |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1021BN-12VXC |
| Beschreibung | IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.182 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 2 - Mai 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1021BN-12VXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1021BN-12VXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
CY7C1021BN-12VXC, CY7C1021BN-12VXC Datenblatt
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CY7C1021BN-12VXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 1Mb (64K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 12ns |
| Zugriffszeit | 12ns |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 44-SOJ |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 32Kb (4K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 5MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
