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CY7C09579V-83AXC

CY7C09579V-83AXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C09579V-83AXC
PNEDA Teilenummer CY7C09579V-83AXC
Beschreibung IC SRAM 1.152M PARALLEL 144TQFP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.820
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CY7C09579V-83AXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C09579V-83AXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C09579V-83AXC, CY7C09579V-83AXC Datenblatt (Total Pages: 33, Größe: 875,98 KB)
PDFCY7C09579V-83AC Datenblatt Cover
CY7C09579V-83AC Datenblatt Seite 2 CY7C09579V-83AC Datenblatt Seite 3 CY7C09579V-83AC Datenblatt Seite 4 CY7C09579V-83AC Datenblatt Seite 5 CY7C09579V-83AC Datenblatt Seite 6 CY7C09579V-83AC Datenblatt Seite 7 CY7C09579V-83AC Datenblatt Seite 8 CY7C09579V-83AC Datenblatt Seite 9 CY7C09579V-83AC Datenblatt Seite 10 CY7C09579V-83AC Datenblatt Seite 11

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CY7C09579V-83AXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße1.152Mb (32K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz83MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit6ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall144-LQFP
Lieferantengerätepaket144-TQFP (20x20)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

IS49RL18320-093BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (32M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.066GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

1.28V ~ 1.42V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-LBGA

Lieferantengerätepaket

168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

IS42S16160G-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TFBGA

Lieferantengerätepaket

54-TFBGA (8x8)

CG8273AAT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 6.0V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-DIP

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