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CY7C09379V-12AC

CY7C09379V-12AC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C09379V-12AC
PNEDA Teilenummer CY7C09379V-12AC
Beschreibung IC SRAM 576K PARALLEL 100TQFP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.838
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C09379V-12AC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C09379V-12AC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C09379V-12AC, CY7C09379V-12AC Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 549,87 KB)
PDFCY7C09389V-9AXI Datenblatt Cover
CY7C09389V-9AXI Datenblatt Seite 2 CY7C09389V-9AXI Datenblatt Seite 3 CY7C09389V-9AXI Datenblatt Seite 4 CY7C09389V-9AXI Datenblatt Seite 5 CY7C09389V-9AXI Datenblatt Seite 6 CY7C09389V-9AXI Datenblatt Seite 7 CY7C09389V-9AXI Datenblatt Seite 8 CY7C09389V-9AXI Datenblatt Seite 9 CY7C09389V-9AXI Datenblatt Seite 10 CY7C09389V-9AXI Datenblatt Seite 11

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CY7C09379V-12AC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße576Kb (32K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz50MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x14)

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (32M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1067MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

1.28V ~ 1.42V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

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