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CY7C09159AV-12AXC

CY7C09159AV-12AXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C09159AV-12AXC
PNEDA Teilenummer CY7C09159AV-12AXC
Beschreibung IC SRAM 72K PARALLEL 100TQFP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.122
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C09159AV-12AXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C09159AV-12AXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C09159AV-12AXC, CY7C09159AV-12AXC Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 526,45 KB)
PDFCY7C09169AV-12AXI Datenblatt Cover
CY7C09169AV-12AXI Datenblatt Seite 2 CY7C09169AV-12AXI Datenblatt Seite 3 CY7C09169AV-12AXI Datenblatt Seite 4 CY7C09169AV-12AXI Datenblatt Seite 5 CY7C09169AV-12AXI Datenblatt Seite 6 CY7C09169AV-12AXI Datenblatt Seite 7 CY7C09169AV-12AXI Datenblatt Seite 8 CY7C09169AV-12AXI Datenblatt Seite 9 CY7C09169AV-12AXI Datenblatt Seite 10 CY7C09169AV-12AXI Datenblatt Seite 11

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CY7C09159AV-12AXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße72Kb (8K x 9)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz50MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x14)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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32Mb (2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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